米国、対中半導体輸出規制を強化 新たに14ナノメートル以下を対象

米国政府は27日、中国向けの半導体輸出規制をさらに強化する方針を明らかにした。今回の措置では、従来の規制対象よりも高度な14ナノメートル以下の先端半導体や、その製造に必要な装置などが新たに含まれる。これにより、中国の先端半導体開発をより強く制限する狙いがある。

規制の詳細と影響

新たな規制では、14ナノメートル以下のロジック半導体、18ナノメートル以下のDRAM、128層以上のNANDフラッシュメモリなどが輸出許可の対象となる。また、これらの半導体を製造するための装置や技術も規制される。米国は、同盟国である日本やオランダにも同様の規制を求めており、国際的な協調を図る方針だ。

この動きは、中国の半導体産業の成長を抑制し、国家安全保障上のリスクを軽減するためのもの。特に、軍事用途に転用される可能性のある先端技術の流出を防ぐことが目的とされている。

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日本への影響と対応

日本は半導体製造装置の主要輸出国であり、今回の規制強化が日本企業に与える影響は大きい。東京エレクトロンやキヤノンなど、半導体装置メーカーは中国市場への依存度が高く、売上減少が懸念される。日本政府は、米国の要請を受け、輸出管理の強化を検討している。

一方、中国側はこの規制を「経済的脅迫」と非難し、対抗措置を検討する姿勢を見せている。中国は半導体の自給率向上を目指しており、今回の規制がその動きを加速させる可能性もある。